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三安オプトエレクトロニクスとSTマイクロエレクトロニクスが共同で進める重慶のSiC（炭化ケイ素）チッププロジェクトは、3月30日に正式に量産を開始した。SiCは電気自動車や蓄電設備にとって極めて重要な部品であり、今回の進展は業界全体にとって重要なシグナルとなる。

この合弁プロジェクトは2023年8月に始動し、総投資額は約230億元。年間48万枚の8インチSiCウェハーを生産する計画である。現在、重慶の三安が持つ8インチSiC基板ラインの週産量は500枚だが、フル稼働時には週産量が約1万枚に達し、国内の車載用SiC需要の40％以上をまかなえる見込みだ。電気自動車にとって、SiCデバイスは航続距離を10％以上延ばし、充電時間も短縮する。

2025年の世界のSiCパワーデバイス市場は28.3億元に達し、2026年には38.8億元に成長すると予測されている。三安の量産により、国内の供給逼迫が緩和され、自動車メーカーのコストが低下し、最終的には消費者がより手頃な価格で電気自動車を購入できるようになるだろう。

とはいえ、課題も残る。インフィニオンやロームなどの国際大手は依然としてハイエンド市場を支配しており、国内企業は歩留まりとコスト管理の面でさらなる努力が必要だ。三安の負債比率は30～40％と低く、経営は安定しているが、12インチSiC技術の開発競争に対応するため、研究開発への継続的な投資が求められる。

一般の投資家としては、今回の進展に対して冷静に考えるべきである。半導体業界は投資サイクルが長くリスクも高いため、むやみに追随するのは避けたい。SiCサプライチェーンの他の企業、例えば装置メーカーの晶盛機電（Jingyuntian）や材料サプライヤーの天岳先進（TankeBlue Semiconductor）などに注目することで、より安定した投資機会が見つかる可能性がある。

全体として、三安の量産は企業としての飛躍にとどまらず、国産SiCデバイスがグローバル市場へと着実に歩みを進める象徴でもある。これは新エネルギーやスマート製造の発展をさらに力強く支えるものとなるだろう。