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   炭化ケイ素（SiC）分野において、主要企業による新たな協業の動きが相次いでいる。東芝、中車時代半導体、格力（Gree）などを含む企業が、チップ技術、パワーモジュール、共同研究開発など、多岐にわたる連携を発表し、第三世代半導体の産業エコシステムの統合が加速している状況を示している。

   東芝とベーシックセミコンダクタ、産業向けSiCモジュールを共同展示
   9月24日、東芝エレクトロニックデバイス＆ストレージ株式会社とベーシックセミコンダクタは、共同ブースを出展し、Pcore™2 E2B、Pcore™2 L3 フルSiCパワーモジュール、およびPcore™6 E3B ハイブリッドSiCモジュールを含む最新の協業ソリューションを披露した。これらのモジュールは、ベーシック社のSiC MOSFETと東芝のRC-IGBTチップ技術を融合。高信頼性の窒化ケイ素セラミック基板、Press-Fit接続技術、銅ベースプレート冷却構造を採用し、オン抵抗低減、スイッチング損失最小化、浮遊インダクタンス制御、信頼性向上において優れた性能を発揮する。大電力充電桩、パワーコンディショニングシステム（PCS）、固体遮断器などの応用を標的としている。

   この共同展示は、両社の協力関係が新たな段階に入ったことを示す。8月29日に締結された戦略的提携合意に基づき、両社はチップ技術とモジュールパッケージングにおける各社の強みを組み合わせ、自動車市場および産業市場向けにより競争力のあるパワー半導体ソリューションを提供することを目指す。

   中車時代半導体とセミクロン・ダンフォス、チップ技術で協力を深化
   中車時代半導体はこのほど、セミクロン・ダンフォスと調達枠組み契約を締結し、パワー半導体チップの開発と供給における協力関係を強化した。この連携は、再生可能エネルギーおよび産業制御分野への応用拡大に焦点を当てる。本年4月に署名された覚書に基づく具体的な進展であり、相互の強みを活かし、エネルギー転換と持続可能な開発に向けた核心的な半導体支援を提供することを目指す。

   格力と電子科技大学、SiCデバイス共同研究センターを設立
   10月9日、格力電子部品（Gree Electronic Components）と電子科技大学は、珠海に「SiCパワー半導体デバイス共同研究センター」の設立式を開催した。同センターは、SiCバリューチェーン全体における重要課題の解決、研究成果の実用化推進、新たな応用シーンの開拓に注力。定期的なコミュニケーション、技術セミナー、人材共同育成メカニズムを確立する。平面素子技術やトレンチ技術ですでに協力実績を持つ両者は今後、車載グレードの信頼性、先進モジュールパッケージング、IPMドライバー開発などへの協力範囲拡大を計画し、成長が見込まれるSiCデバイス市場での機会獲得を目指す。

   ウィントーンセミコンダクタ、独系ファミリーオフィスから出資受け、事業の国際化を加速
   9月26日、ウィントーンセミコンダクタは、ドイツのBHeiファミリーオフィスと戦略的提携契約を締結した。これには、戦略的出資、技術協力、国内外市場開拓が含まれる。BHei側は、今回の出資が中国市場における初の直接投資であるとし、同社をイノベーション力と国際競争力を兼ね備えた第三世代半導体パワーモジュール企業として成長させる意向を示した。2023年設立で本社を深圳に置くウィントーン社は、珠海に車載グレードパワーモジュール工場を有する。今回の提携により、同社のグローバル事業展開がさらに加速することが見込まれる。