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       近日，由江苏第三代半导体研究院有限公司与中国第三代半导体技术创新中心（苏州）联合承担的“六英寸碳化硅晶锭激光隐形切割技术研发”项目取得重要突破。该项目为江苏省集萃研究员计划重点支持成果，核心技术指标达行业先进水平，为中国碳化硅产业自主可控发展提供了有力支撑。

       江苏省集萃研究员计划由江苏省产业技术研究院启动实施，旨在集聚优质创新资源、攻克关键核心技术。截至目前，该计划已启动超100项高水平研发项目，成为推动产业技术升级的重要力量。此次突破项目正是该计划重点支持的成果之一。

       本次突破的激光隐形切割技术，在多项核心性能上实现全面提升。碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，硬度高、脆性大，其晶锭切割长期制约产业发展。传统切割工艺存在效率低、损耗高、良率不足等问题，严重影响了碳化硅衬底及后续器件的产业化进程。

       相比传统线切割，激光隐形切割显著缩短了单片切割时间，大幅降低了晶锭损耗，并稳步提升了切割良率，整体表现远超行业平均水平。据项目承担单位披露，该技术在切割效率、良率、损伤控制及减薄精度等方面均取得关键突破，有效克服了传统工艺的弊端。

       中国第三代半导体技术创新中心（苏州）作为项目核心承担单位之一，长期聚焦第三代半导体共性关键技术攻关，构建了产学研协同、开放共享的创新平台。目前已集聚多种创新要素，服务企业和科研机构超500家，成功攻克多项“卡脖子”技术。江苏第三代半导体研究院有限公司则依托自身研发优势，与创新中心协同发力，加速技术研发与成果转化。

       此次技术突破填补了中国六英寸碳化硅晶锭激光隐形切割领域的技术空白，打破国外垄断，显著降低衬底生产成本，提升产业核心竞争力。该技术也为新能源汽车、智能电网、5G通信等领域的半导体器件国产化提供了关键支撑，助力中国第三代半导体产业实现高质量跨越式发展。