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碳化硅晶体生长

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高性能碳纤维保温材料在碳化硅晶体生长领域的应用

碳化硅晶体生长是制造下一代半导体芯片(广泛应用于新能源车、轨道交通、智能电网、5G通信)的核心上游工艺。其过程极其苛刻(温度>2000°C,需要高真空或惰性气氛),对热场材料的要求达到了极致。

核心挑战与材料优势对比

在PVT法中,一个核心挑战是构建一个精确、稳定、可控的温度梯度和热场环境。碳化硅粉末在高温区(~2300°C)升华,然后在温度稍低的籽晶处重新结晶生长。任何热场的微小波动或不均匀都会导致晶体缺陷(如多型、微管),甚至生长失败。

传统材料(以等静压石墨为主)的瓶颈:

各向同性导热:石墨在各个方向上导热性都很好,这不利于构建尖锐的轴向温度梯度。

高温挥发和污染:在2000°C以上的真空环境中,石墨会持续挥发(升华),产生碳蒸气,这不仅污染晶体,还会导致保温层自身逐渐变薄、性能衰减,需要频繁更换

机械强度衰减:多次高温热循环后,石墨件会变脆,强度下降,易开裂损坏。

热惯性大:石墨的比热容较高,升温和降温过程缓慢,降低了生产效率和工艺调整的灵活性。

高性能碳纤维复合保温材料的优势:

可设计的各向异性热导率:这是其最核心的优势。可以通过叠层设计,实现径向隔热、轴向导热,或根据需求进行定制,完美满足PVT法对特定方向温度梯度的要求。

极低的高温挥发率:采用超高纯度碳纤维和先进界面处理技术,其在高温下的质量损失率远低于传统石墨,使用寿命更长,污染更小。

优异的高温力学性能:强度高、韧性好,抗热震性能极佳,能承受反复的急冷急热而不开裂。

轻量化:密度远低于石墨,便于安装和维护。

在PVT炉中,保温材料主要构成保温桶(Insulation Stack),包围在发热体和坩埚周围,其作用是最大限度地减少热量损失、并精确塑造热场分布。

1、各向异性保温桶

这是碳纤维复合材料最具颠覆性的应用。

具体应用:

将材料设计成径向热导率极低、轴向热导率相对较高的叠层结构。

径向隔热:有效阻止热量向炉壁辐射和传导,大幅降低能耗,保护炉体冷水套。

轴向导热:允许热量沿特定方向(从下部热源到上部籽晶)进行更有效、更可控的传输,有助于形成和维持生长所需的陡峭轴向温度梯度。这个梯度是驱动气相传输和晶体生长的核心动力。

高性能碳纤维复合保温材料带来的价值:

精确控制生长界面:获得更平坦、更稳定的生长界面,这是生长低位错、高质量大尺寸单晶的关键。

提高晶体质量:减少热场波动和不对称性,有效抑制多型夹杂等缺陷的形成。

节能降耗:出色的隔热性能可降低约20%-30%的能耗,直接降低生产成本。

2、高性能隔热屏/遮板

在热场内部,需要一些特定的遮板或屏风来微调局部热流。

具体应用:

在坩埚顶部、侧面或底部关键位置,使用碳纤维复合材料制成的遮热板或导流环。

这些部件可以精确地屏蔽或引导热辐射,防止热量在某些区域过度集中或散失,从而优化坩埚内部和生长界面的温度分布。

高性能碳纤维复合保温材料带来的价值:

解决“边缘效应”:改善晶体边缘的生长条件,使晶体直径范围内的生长速率更均匀,提高晶锭利用率。

抑制 parasitic nucleation(寄生 nucleation):通过局部冷却,防止在非籽晶区域(如坩埚壁)发生不必要的自发成核,保证单晶生长的纯粹性。

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3、轻量化支撑与连接件

热场内部需要各种支撑件来固定发热体、坩埚和保温层。

具体应用:

用该材料制造螺栓、垫片、支撑杆等连接和结构件。

这些部件需要承受高温和负载,同时要求其热导率和热膨胀行为与周围石墨件匹配,避免热应力破坏。

高性能碳纤维复合保温材料带来的价值:

优异的机械可靠性:高强度和高韧性确保了在多次热循环后仍能保持结构完整,避免因部件断裂导致昂贵的热场系统崩溃

低热膨胀匹配:其热膨胀系数(CTE)可设计与石墨相近,在升温降温过程中协同变形,减少应力

减少热损失:相比金属连接件(如钼螺栓),其隔热性更好,不会形成局部的“冷点”或热短路。

能够直接助力于生产更大尺寸(8英寸及以上)、更低缺陷密度、更高均匀性的碳化硅单晶衬底,从而降低下游器件的制造成本并提升其性能,推动宽禁带半导体产业的快速发展。这不仅是材料的替换,更是对整个晶体生长工艺的赋能和革新