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近期，国内外多家企业在碳化硅（SiC）领域取得合作新进展，覆盖从芯片技术、功率模块到联合研发等多个层面，展现出第三代半导体产业生态的整合加速与全球化协作趋势。

1、东芝与基本半导体联合展出多款工业级SiC模块
    9月24日，东芝电子元件与基本半导体以联合展台形式，共同展示了包括Pcore™2 E2B、Pcore™2 L3在内的全碳化硅功率模块，以及Pcore™6 E3B混碳模块等多款新品。这些产品融合了基本半导体的SiC MOSFET与东芝的RC-IGBT芯片技术，模块封装采用高可靠性氮化硅陶瓷基板、Press-Fit压接工艺及铜底板散热设计，在降低导通电阻、优化开关损耗、控制杂散电感等方面表现优异，适用于大功率充电桩、储能变流器（PCS）、固态断路器等工业与能源应用。

此次联合展出标志着双方合作进入更深层次的协同阶段。据悉，东芝与基本半导体已于8月29日正式签署战略合作协议，旨在整合双方在芯片技术与模块封装方面的优势，共同为车载与工业市场提供更具竞争力的功率半导体解决方案。

2、中车时代半导体与赛米控丹佛斯深化芯片技术合作
中车时代半导体近日与赛米控丹佛斯签署采购框架协议，双方将在功率半导体芯片的开发与供应方面加强合作，并计划在可再生能源、工业控制等重点领域拓展合作范围。此次合作不仅是双方在今年4月签署谅解备忘录后的实质性推进，也体现了产业链上下游在技术协同与供应链整合方面的战略共识。双方表示，将共同为能源转型与可持续发展提供核心半导体支持。

3、格力联手电子科技大学，共建SiC器件联合研究中心
10月9日，格力电子元器件与电子科技大学合作成立的“碳化硅功率半导体器件联合研究中心”在珠海正式揭牌。该中心将聚焦碳化硅全链条技术难题，推动科研成果转化与新应用场景挖掘，并建立常态化交流、定期研讨与人才联合培养机制。双方此前已在平面器件、沟槽技术等领域展开合作，未来计划进一步拓展至车规级可靠性、先进模块封装及IPM驱动等方向，共同布局碳化硅器件新兴市场。

4、翼同半导体获德国家族办公室投资，加速功率模块国际化
9月26日，翼同半导体与德国BHei家族办公室签署战略合作协议，合作内容涵盖战略投资、技术合作与海内外市场开拓。BHei方面表示，此次投资是其在中国市场的首笔直接投资，旨在以翼同为平台，打造具备创新能力和国际竞争力的第三代半导体功率模块公司。翼同半导体成立于2023年，总部位于深圳，在珠海设有车规级功率模块工厂，并在香港、上海等地设有分支机构。此次合作将助力其进一步拓展全球化业务布局。