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   在快充技术快速迭代的背景下，碳化硅正以空前速度渗透至消费电子领域。随着 SiC MOSFET 成本持续优化，其高性价比优势日益凸显，不仅打破了以往多局限于工业、汽车等高压场景的格局，也成功打开了消费类快充市场的大门。

   目前，飞利浦、倍思、绿联、铭普等多家知名充电配件品牌已陆续导入 SiC MOSFET 方案，推动 PD 快充向更高效率、更小体积的方向发展。调研显示，多家碳化硅企业正聚焦 PD 快充领域，部分厂商的 SiC MOS 出货量预计将突破 1000 万颗，展现出该细分赛道的巨大潜力。

   在此趋势中，英嘉通半导体依托其在 SiC 与 GaN 双技术路径上的完整布局，正成为连接技术升级与市场应用的关键参与者之一。

   多家 PD 快充厂商导入 SiC，英嘉通 SiC MOS 实现批量出货
   据不完全统计，目前已有超过 30 款 PD 快充产品导入 SiC 功率器件，飞利浦、倍思、绿联、铭普等头部手机快充厂商也在方案中采用 SiC，悄然打开了碳化硅在消费快充领域的广阔市场。

   在 PD 快充技术升级的浪潮中，英嘉通 750V SiC MOSFET 凭借卓越的性能与可靠性，已获得铭普、瑞吉达、乐瑞等多家知名 PD 快充厂商的认可，成为其打造高性能快充产品的关键技术支撑。

   那么，为何手机快充厂商纷纷转向 SiC MOSFET？又为何选择英嘉通的碳化硅方案？

   英嘉通负责人指出：“在当前手机 PD 快充市场中，碳化硅器件已成为实现高效率、高功率密度充电解决方案的关键。”

   他进一步分析，碳化硅能够快速切入这一市场，主要源于两大现实驱动：一是满足 75W 以上电源的 PFC 法规要求，二是应对终端设备对小型化的极致追求。这两大需求，正凸显了碳化硅材料自身的多重性能优势：

   1、高温特性优势：碳化硅器件在高温环境下表现稳定，在 125℃ 时导通电阻可降低达 40%，兼具更小尺寸、性能与成本优势。部分快充厂商在原有硅基 MOS 方案基础上，会参考 1.4 倍系数转向英嘉通 750V 碳化硅方案。

   2、雪崩击穿优势：相较于 GaN，SiC MOSFET 具备雪崩能力。以英嘉通与铭普近期推出的 65W 碳化硅 PD 快充为例，其采用英嘉通 750V 碳化硅器件，雪崩击穿电压达 850V 以上，为消费电子提供更高的安全冗余。

   3、短路耐受优势：英嘉通 750V SiC MOSFET 的短路耐受能力设计为 2.5μs，兼顾高性能与实际应用安全需求。

   4、可靠性优势：SiC MOSFET 因晶格缺陷密度较低，具备与传统 VDMOS 相当的可靠性，不仅适用于消费电子，也广泛应用于工业控制、汽车电子等高要求领域。

   5、无动态电阻优势：在高压硬开关及连续电流模式（CCM）下，碳化硅器件几乎不受动态电阻升高影响，系统运行更加稳定可靠。

   6、成本优势：SiC 器件成本持续下降，部分应用中的系统成本已低于硅基 MOSFET 方案。8 英寸量产将进一步推动 SiC 突破原有应用边界，加速切入 PD 快充和适配器市场。

   英嘉通负责人表示，上述优势已在实践中得到验证。目前基于 750V 360mΩ SiC 器件开发的 65W PD 快充系统，开关波形干净、速度可调，并在 90VAC 恶劣环境下实现 73℃ 满载低温运行，体现出优异的高效与高温稳定性。

   SiC MOSFET 市场前景广阔
   调研显示，未来快充头年需求量预计可达 20–30 亿支，将为碳化硅器件带来百亿级潜在市场规模，高功率快充市场前景尤为可观。

   目前，英嘉通在手机快充领域已取得显著进展，并正将 SiC MOSFET 导入电视、适配器、LED 驱动、两轮车充电等更多消费电子场景，持续拓宽技术落地边界。

   为此，英嘉通已制定详细规划：将于今年第四季度在 6 英寸晶圆上量产 750V 60-1200mΩ 消费级 SiC 产品，并将在 8 英寸晶圆上量产 750V 等系列产品，以扩大生产规模、提升产能与成本控制能力，增强在消费快充与工业电源等市场的综合竞争力。

   目前，英嘉通碳化硅功率器件已覆盖 750V–3300V，阻值范围从 13mΩ 至 55Ω，在消费、工业及车规领域均已实现批量出货，出货量位居行业前列。

   技术与市场双突破，英嘉通 GaN 导入头部客户
   在碳化硅领域持续发力的同时，英嘉通也注意到 PD 快充市场需求日趋多元化。为全面应对这一趋势，英嘉通依托技术积累，在 PD 快充市场同步布局了成熟且具备竞争力的氮化镓（GaN）方案，以满足不同场景与性能需求的快充产品。

   英嘉通负责人系统介绍了其氮化镓方案的技术布局与核心优势：

   1、产品线全面布局：涵盖 D-GaN 和 E-GaN，量产规格约 30 款，阻值覆盖 100mΩ 到 600mΩ，可匹配 30W 至 240W 各类 PD 快充应用，满足头部厂商及主流市场需求。例如倍思 65W 2C1A 氮化镓充电器即采用英嘉通 650V/250mΩ 氮化镓开关管。

   2、核心性能突出：氮化镓器件硬击穿电压普遍超过 1000V，能有效抵御电压尖峰，动态电阻小于 10%，指标居于行业前列。

   3、系统级解决方案：以 240W PFC+LLC 架构为例，可提供由高性能氮化镓开关管与优化氮化硅二极管构成的完整方案，通过系统降低损耗、提升效率，助力客户提升产品竞争力。

   在产品技术路线上：

   1、E-GaN：覆盖 700V 和 900V 小功率合封、中高压双向器件以及 200V 以下的低压与低压对称（双向）器件。高、低压 E-GaN 器件已在 6 英寸产线全面量产，计划 2026 年第二季度导入 8 英寸产线，进一步提升成本竞争力。

   2、D-GaN：聚焦小功率高压器件，900V 器件已量产，未来将推出系列低内阻产品，满足更多应用需求。

   目前，英嘉通氮化镓功率器件量产规格已超 30 款，覆盖高压与低压全系列，出货量稳居国内厂商前列。

   英嘉通通过在碳化硅与氮化镓双赛道上的持续深耕，已形成覆盖全面、性能突出的产品组合，能为快充客户提供多样化高性能解决方案，助力其在市场竞争中占据优势。

   随着第三代半导体技术不断成熟与成本优化，SiC 与 GaN 将在快充市场中形成互补共进的格局。英嘉通凭借在双领域的深厚布局，将持续为客户提供高性能、高可靠性的功率解决方案。

   展望未来，英嘉通表示将继续加大研发投入，深化产品创新，助力快充技术迈向更高功率、更小体积、更优体验的新阶段，推动行业持续向前发展。